onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V Erweiterung / 35 A, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 205-2426
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS011N15MC
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 205-2426
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS011N15MC
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 150 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 35 A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 13.2 mΩ | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Serie PowerTrench | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 150 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 35 A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 13.2 mΩ | ||
The ON Semiconductor Power Trench series 150V N-Channel MV MOSFET is produced using Advanced process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
Max rDS(on) = 11.5mohm at VGS is 10V, ID is 35A
Low Conduction Loss
Max rDS(on) is 13.2mohm at VGS is 8V, ID is 18A
50% lower Qrr than other mosfet suppliers
Lowers switching noise /EMI
MSL1 robust package design
100% UIL tested