onsemi Einfach PowerTrench Typ N-Kanal 1, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 9 A 1.47 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 166-2832
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS6692A
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.47W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.9 mm | |
| Höhe | 1.575mm | |
| Länge | 4.9mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.47W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.9 mm | ||
Höhe 1.575mm | ||
Länge 4.9mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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