onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 4.1 A 5 W, 8-Pin SOIC

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Herst. Teile-Nr.:
FDS86242
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

126mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.81V

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.9nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.5mm

Breite

5 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

4mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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