onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 4.5 A 5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 759-9695
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS86252
- Marke:
- onsemi
Zwischensumme (1 Rolle mit 2 Stück)*
0,62 €
(ohne MwSt.)
0,74 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 324 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Nur noch Restbestände
- Letzte 2.456 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 2 + | 0,31 € | 0,62 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-9695
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS86252
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 105mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 4mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 5 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 105mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5W | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 4mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 5 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 4.5 A 2 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin SOIC
