onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 4.5 A 5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 759-9695
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS86252
- Marke:
- onsemi
Zwischensumme (2 Stück, auf einem Band mit 2)*
1,70 €
(ohne MwSt.)
2,02 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Nur noch Restbestände
- Letzte 2.042 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 2 + | 0,85 € | 1,70 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-9695
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS86252
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 105mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5W | |
| Durchlassspannung Vf | 800mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 4mm | |
| Breite | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 105mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5W | ||
Durchlassspannung Vf 800mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 4mm | ||
Breite 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench N-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench N-Kanal 2 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 4.5 A 2 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Kanal 8-Pin
- onsemi PowerTrench N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi PowerTrench N-Kanal 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench N-Kanal 8-Pin SOIC