onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 4.5 A 5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
166-2574
Herst. Teile-Nr.:
FDS86252
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

105mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

800mV

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

5mm

Länge

4mm

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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