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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	9A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	SOIC
	Serie	PowerTrench
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	1.47W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	4.9mm
	Höhe	1.575mm
	Breite	3.9mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße SOIC
	Serie PowerTrench
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 1.47W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 4.9mm
	Höhe 1.575mm
	Breite 3.9mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1

PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

onsemi Einfach PowerTrench Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 9 A 1.47 W, 8-Pin SOIC

PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

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