onsemi Isoliert PowerTrench Typ N, Typ N-Kanal 2, Oberfläche, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 5.5 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
671-0655
Herst. Teile-Nr.:
FDS6930B
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche, SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

62mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.8nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

1.5mm

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

PowerTrench® Dual-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


ON-PowerTrench®-MOSFETs von Semis sind optimierte Leistungsschalter, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückwärtserholung und eine weiche Rückwärtserholungsdiode, um zum schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.

Die Weichkörper-Diodenleistung der PowerTrench®-MOSFETs ist in der Lage, Snubber-Schaltkreise zu beseitigen oder einen MOSFET mit höherer Nennspannung zu ersetzen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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