onsemi Isoliert PowerTrench Typ N, Typ N, Typ P, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6.2 A 2 W, 8-Pin

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RS Best.-Nr.:
166-2595
Herst. Teile-Nr.:
FDS4897C
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Serie

PowerTrench

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N, Typ P, Typ P

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

6.2 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

2 W

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Automobilstandard

Nein

Durchlassspannung (Vf)

700 mV

Höhe

1.5 mm

Länge

5 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

63 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-20 V, +20 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

20 nC

Breite

4 mm

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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