onsemi Gemeinsamer Drain PowerTrench Typ N, Typ P-Kanal 2, SMD MOSFET 40 V Erweiterung / 9 A, 5-Pin TO-252

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671-0356
Herst. Teile-Nr.:
FDD8424H
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

PowerTrench

Montageart

SMD

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

54mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-20/20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Gemeinsamer Drain

Höhe

2.39mm

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

PowerTrench® Dual N/P-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Leistungsschalter, die eine Erhöhung der Effizienz des Systems und der Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung (Qg), eine kleine Reverse-Recovery-Ladung (Qrr) und eine weiche Reverse-Recovery-Gehäuse-Diode, die zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beiträgt.

Die neuesten PowerTrench® MOSFETs verfügen über eine geschirmte Gate-Struktur, die für einen Ladungsausgleich sorgt. Durch die Nutzung dieser fortschrittlichen Technologie ist die FOM (Figure of Merit) dieser Geräte deutlich niedriger als die der vorherigen Generation.

Die Weichgehäuse-Diode-Leistung der PowerTrench® MOSFETs ist in der Lage, Schnubbelstromkreise zu beseitigen oder einen MOSFET mit höherer Nennspannung zu ersetzen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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