onsemi Isoliert PowerTrench Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6.2 A 2 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

6,61 €

(ohne MwSt.)

7,865 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Zusätzlich 70 Einheit(en) mit Versand ab 11. Mai 2026
  • Die letzten 5 Einheit(en) mit Versand ab 11. Mai 2026

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 451,322 €6,61 €
50 - 951,14 €5,70 €
100 - 4950,988 €4,94 €
500 - 9950,868 €4,34 €
1000 +0,79 €3,95 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
671-0539
Herst. Teile-Nr.:
FDS4897C
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

63mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Durchlassspannung Vf

0.7V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Höhe

1.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Leistungsschalter, die eine Erhöhung der Effizienz des Systems und der Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung (Qg), eine kleine Reverse-Recovery-Ladung (Qrr) und eine weiche Reverse-Recovery-Gehäuse-Diode, die zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beiträgt.

Die neuesten PowerTrench® MOSFETs verfügen über eine geschirmte Gate-Struktur, die für einen Ladungsausgleich sorgt. Durch die Nutzung dieser fortschrittlichen Technologie ist die FOM (Figure of Merit) dieser Geräte deutlich niedriger als die der vorherigen Generation.

Die Weichgehäuse-Diode-Leistung der PowerTrench® MOSFETs ist in der Lage, Schnubbelstromkreise zu beseitigen oder einen MOSFET mit höherer Nennspannung zu ersetzen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


><

Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links