onsemi Isoliert PowerTrench Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6.2 A 2 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 671-0539
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS4897C
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
6,61 €
(ohne MwSt.)
7,865 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Nur noch Restbestände
- Zusätzlich 70 Einheit(en) mit Versand ab 23. Juni 2026
- Die letzten 5 Einheit(en) mit Versand ab 23. Juni 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,322 € | 6,61 € |
| 50 - 95 | 1,14 € | 5,70 € |
| 100 - 495 | 0,988 € | 4,94 € |
| 500 - 995 | 0,868 € | 4,34 € |
| 1000 + | 0,79 € | 3,95 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-0539
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS4897C
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 63mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Länge | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 63mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Länge 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Leistungsschalter, die eine Erhöhung der Effizienz des Systems und der Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung (Qg), eine kleine Reverse-Recovery-Ladung (Qrr) und eine weiche Reverse-Recovery-Gehäuse-Diode, die zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beiträgt.
Die neuesten PowerTrench® MOSFETs verfügen über eine geschirmte Gate-Struktur, die für einen Ladungsausgleich sorgt. Durch die Nutzung dieser fortschrittlichen Technologie ist die FOM (Figure of Merit) dieser Geräte deutlich niedriger als die der vorherigen Generation.
Die Weichgehäuse-Diode-Leistung der PowerTrench® MOSFETs ist in der Lage, Schnubbelstromkreise zu beseitigen oder einen MOSFET mit höherer Nennspannung zu ersetzen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
><
Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N Typ P Oberfläche
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 4.5 A 2 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 6.4 A 2 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 6.5 A 2 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P-Kanal 2 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P-Kanal 2 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P-Kanal 2 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 8.6 A 1.6 W, 8-Pin SOIC