onsemi Isoliert PowerTrench Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6.2 A 2 W, 8-Pin SOIC

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671-0539
Herst. Teile-Nr.:
FDS4897C
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

63mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Durchlassspannung Vf

0.7V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Breite

4mm

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Leistungsschalter, die eine Erhöhung der Effizienz des Systems und der Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung (Qg), eine kleine Reverse-Recovery-Ladung (Qrr) und eine weiche Reverse-Recovery-Gehäuse-Diode, die zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beiträgt.

Die neuesten PowerTrench® MOSFETs verfügen über eine geschirmte Gate-Struktur, die für einen Ladungsausgleich sorgt. Durch die Nutzung dieser fortschrittlichen Technologie ist die FOM (Figure of Merit) dieser Geräte deutlich niedriger als die der vorherigen Generation.

Die Weichgehäuse-Diode-Leistung der PowerTrench® MOSFETs ist in der Lage, Schnubbelstromkreise zu beseitigen oder einen MOSFET mit höherer Nennspannung zu ersetzen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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