Teile-Nr.

onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.5 A 1.6 W, 6-Pin FDC645N SSOT

RS Best.-Nr.:: 903-4140
Herst. Teile-Nr.:: FDC645N
Marke:: onsemi

onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.5 A 1.6 W, 6-Pin FDC645N SSOT

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RS Best.-Nr.:: 903-4140
Herst. Teile-Nr.:: FDC645N
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	5.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	SSOT
	Serie	PowerTrench
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	48mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	1.6W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	13nC
	Durchlassspannung Vf	0.7V
	Gate-Source-spannung max Vgs	12 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	3mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	1.7 mm
	Höhe	1mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße SSOT
	Serie PowerTrench
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 48mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 1.6W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC
	Durchlassspannung Vf 0.7V
	Gate-Source-spannung max Vgs 12 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 3mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 1.7 mm
	Höhe 1mm
	Automobilstandard Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.5 A 1.6 W, 6-Pin FDC645N SSOT

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MOSFET-Transistoren, ON Semi

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