onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6.3 A 1.6 W, 6-Pin FDC655BN SSOT

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

2,94 €

(ohne MwSt.)

3,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2.820 Einheit(en) mit Versand ab 07. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +0,294 €2,94 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
761-4426
Herst. Teile-Nr.:
FDC655BN
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SSOT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

36mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3mm

Breite

1.7 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links