onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6.3 A 1.6 W, 6-Pin SSOT

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RS Best.-Nr.:
166-2423
Herst. Teile-Nr.:
FDC655BN
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SSOT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

36mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.7 mm

Länge

3mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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