onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 35 A, 8-Pin PQFN 5 x 6

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
205-2427
Herst. Teile-Nr.:
NTMFS011N15MC
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

35 A

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Gehäusegröße

PQFN 5 x 6

Serie

PowerTrench

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

13,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der 150-V-N-Kanal-MV-MOSFET der on Semiconductor Power Trench Serie wird mit Advanced Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.

Max. RDS(on) = 11,5 MOhm bei VGS beträgt 10 V, ID 35 A.
Geringer Leitungsverlust
Max. RDS(on) ist 13,2 MOhm bei VGS ist 8 V, ID ist 18 A.
50 % geringerer Qrr als andere Mosfet-Lieferanten
Verringert Schaltgeräusche/elektromagnetische Störungen
MSL1 robustes Gehäusedesign
100 % UIL-geprüft

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