ROHM RF4E110BN N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2 W, 8-Pin HUML2020
- RS Best.-Nr.:
- 183-5406
- Herst. Teile-Nr.:
- RF4E110BNTR
- Marke:
- ROHM
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- Herst. Teile-Nr.:
- RF4E110BNTR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 11 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | HUML2020 | |
| Serie | RF4E110BN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 15,4 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 2 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Länge | 2.1mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | 150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 2.1mm | |
| Höhe | 0.65mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 11 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße HUML2020 | ||
Serie RF4E110BN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 15,4 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 2 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Länge 2.1mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 24 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. 150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 2.1mm | ||
Höhe 0.65mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- TH
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse (HUML2020L8).
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse (HUML2020L8).
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei