ROHM RF4E110BN N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2 W, 8-Pin HUML2020

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Alternative

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ROHM RF4E110BN N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2 W, 8-Pin HUML2020
RS Best.-Nr.
183-5124

Stück (Auf einer Rolle von 3000)

0,137 €

(ohne MwSt.)

0,163 €

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:
183-5406
Herst. Teile-Nr.:
RF4E110BNTR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

RF4E110BN

Gehäusegröße

HUML2020

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

15,4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Breite

2.1mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

24 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

2.1mm

Höhe

0.65mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
TH
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse (HUML2020L8).
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei