onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Kleines Signal 20 V Erweiterung / 910 mA 550 mW, 6-Pin SC-88

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

279,00 €

(ohne MwSt.)

333,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 28. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,093 €279,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
184-1064
Herst. Teile-Nr.:
NTJD4401NT1G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

Kleines Signal

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

910mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SC-88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

440mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.3nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

550mW

Durchlassspannung Vf

0.76V

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Höhe

1mm

Länge

2.2mm

Breite

1.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Dieses N-Kanal-Dual-Gerät wurde mit einem kleinen Gehäuse (2 x 2 mm) mit dem führenden planaren Prozess von ON Semiconductor für kleine Abmessungen und erhöhte Effizienz entwickelt. Die geringe Leistungszahl ist besonders geeignet für ein- oder zweizellige Li-Ion-Akkugeräte wie Mobiltelefone, Media-Player, Digitalkameras und PDAs.

Kleine Abmessungen (2 x 2 mm)

Low Gate Charge N-Kanal-Gerät

ESD-geschütztes Gate

Gleiches Gehäuse wie SC-70 (6 Leitungen)

Anwendungen:

Lastleistungsschaltung

Von Li-Ion-Akku gelieferte Geräte

DC/DC-Umwandlung

Verwandte Links