onsemi NVMFS5H663NLT1G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 67 A 63 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 185-8153
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS5H663NLT1G
- Marke:
- onsemi
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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 1500)
0,474 €
(ohne MwSt.)
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,474 € | 711,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 185-8153
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS5H663NLT1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Nicht-konform
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
PPAP-fähig
Diese Geräte sind bleifrei
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
PPAP-fähig
Diese Geräte sind bleifrei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 67 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | DFN |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 5 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
| Verlustleistung max. | 63 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Länge | 5.1mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 6.1mm |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
| Höhe | 1.05mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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