onsemi NTMTS001N06CLTXG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 398,2 A 5 W, 8-Pin DFNW8
- RS Best.-Nr.:
- 186-1322
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTS001N06CLTXG
- Marke:
- onsemi
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
4,57 €
(ohne MwSt.)
5,44 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,57 € | 9,14 € |
| 10 - 98 | 3,89 € | 7,78 € |
| 100 - 248 | 3,115 € | 6,23 € |
| 250 - 498 | 2,94 € | 5,88 € |
| 500 + | 2,77 € | 5,54 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 186-1322
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTS001N06CLTXG
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Nicht-konform
Produktdetails
Kleine Stellfläche (8 x 8 mm) für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
Power 88-Gehäuse, Industriestandard
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
Power 88-Gehäuse, Industriestandard
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 398,2 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | DFNW8 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,05 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
| Verlustleistung max. | 5 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 8mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 165 nC @ 10 V |
| Länge | 8.1mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Höhe | 1.15mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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