onsemi NVMTS0D4N04CLTXG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 553,8 A 244 W, 8-Pin DFNW8
- RS Best.-Nr.:
- 186-1334
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMTS0D4N04CLTXG
- Marke:
- onsemi
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
9,535 €
(ohne MwSt.)
11,347 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 9,535 € | 19,07 € |
| 10 - 98 | 8,125 € | 16,25 € |
| 100 - 248 | 7,36 € | 14,72 € |
| 250 - 498 | 7,17 € | 14,34 € |
| 500 + | 6,99 € | 13,98 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 186-1334
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMTS0D4N04CLTXG
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- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Nicht-konform
Produktdetails
MOSFET für die Automobilindustrie in einem flachen 8 x 8 mm-Kabelpaket, das für kompakte und effiziente Designs einschließlich hoher thermischer Leistung entwickelt wurde. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.
Geringer Platzbedarf (8 x 8 mm)
Niedriger RDS (EIN)
Niedrige QG und Kapazität
Option mit benetzbaren Flanken
PPAP-fähig
Kompaktes Design
Minimiert Leitungsverluste
Minimiert Treiberverluste
Verbesserte optische Prüfung
Anwendungen
Batterieverpolungsschutz
Schaltnetzteile
Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
Endprodukte
Motorsteuerung - EPS, Wischer, Lüfter, Sitze usw.
Lastschalter - ECU, Chassis, Karosserie
Niedriger RDS (EIN)
Niedrige QG und Kapazität
Option mit benetzbaren Flanken
PPAP-fähig
Kompaktes Design
Minimiert Leitungsverluste
Minimiert Treiberverluste
Verbesserte optische Prüfung
Anwendungen
Batterieverpolungsschutz
Schaltnetzteile
Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
Endprodukte
Motorsteuerung - EPS, Wischer, Lüfter, Sitze usw.
Lastschalter - ECU, Chassis, Karosserie
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 553,8 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | DFNW8 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 640 μΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 244 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Länge | 8.1mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 163 nC bei 4,5 |
| Breite | 8mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Höhe | 1.15mm |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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