onsemi NTMTS001N06C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 376 A 244 W, 8-Pin NTMTS001N06CTXG PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 189-0331
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTS001N06CTXG
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
7,61 €
(ohne MwSt.)
9,056 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 23. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,805 € | 7,61 € |
| 20 - 198 | 3,28 € | 6,56 € |
| 200 - 998 | 2,845 € | 5,69 € |
| 1000 - 1998 | 2,495 € | 4,99 € |
| 2000 + | 2,275 € | 4,55 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 189-0331
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTS001N06CTXG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 376A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | NTMTS001N06C | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 910μΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 113nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 244W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Breite | 8 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 376A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie NTMTS001N06C | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 910μΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 113nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 244W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.15mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Breite 8 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kleine Abmessungen (8 x 8 mm) für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei
Typische Anwendungen:
Elektrowerkzeuge, batteriebetriebene Vakus
UAV/Drohnen, Materialhandhabung
BMS/Speicher, Heimautomatisierung
Verwandte Links
- onsemi N-Kanal 8-Pin Leistung 88
- onsemi N-Kanal8 A 244 W, 8-Pin DFNW8
- Toshiba N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench P-Kanal4 A 40 W, 8-Pin Leistung 33
- onsemi PowerTrench N-Kanal 8-Pin Leistung 33
- onsemi PowerTrench N-Kanal 8-Pin Leistung 33
- onsemi PowerTrench N-Kanal 8-Pin Leistung 33
- onsemi PowerTrench N-Kanal 8-Pin Leistung 33
