onsemi NCP303160A Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 30 V / 60 A 13.5 W, 39-Pin NCP303160AMNTWG PQFN-39

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RS Best.-Nr.:
333-409
Herst. Teile-Nr.:
NCP303160AMNTWG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PQFN-39

Serie

NCP303160A

Pinanzahl

39

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

350mV

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

13.5W

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Der integrierte Treiber und MOSFET mit integrierter Stromüberwachung von ON Semiconductor integriert einen MOSFET-Treiber, einen High-Side-MOSFET und einen Low-Side-MOSFET in einem einzigen Gehäuse. Der Treiber und die MOSFETs wurden für DC-DC-Abwärtswandlungsanwendungen mit hohen Strömen optimiert. Die integrierte Lösung reduziert den Platzbedarf auf dem Board im Vergleich zu einer Lösung mit diskreten Komponenten erheblich.

¨Präzise Stromüberwachung

Interne Bootstrap-Diode

PQFN39-Gehäuse

Bleifrei

RoHS-Konformität

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