onsemi NCP303160A Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 30 V / 60 A 13.5 W, 39-Pin PQFN-39
- RS Best.-Nr.:
- 333-409
- Herst. Teile-Nr.:
- NCP303160AMNTWG
- Marke:
- onsemi
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| 20 - 198 | 2,945 € | 5,89 € |
| 200 - 998 | 2,72 € | 5,44 € |
| 1000 - 1998 | 2,52 € | 5,04 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 333-409
- Herst. Teile-Nr.:
- NCP303160AMNTWG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | NCP303160A | |
| Gehäusegröße | PQFN-39 | |
| Pinanzahl | 39 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 350mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 13.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie NCP303160A | ||
Gehäusegröße PQFN-39 | ||
Pinanzahl 39 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 350mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 13.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der integrierte Treiber und MOSFET mit integrierter Stromüberwachung von ON Semiconductor integriert einen MOSFET-Treiber, einen High-Side-MOSFET und einen Low-Side-MOSFET in einem einzigen Gehäuse. Der Treiber und die MOSFETs wurden für DC-DC-Abwärtswandlungsanwendungen mit hohen Strömen optimiert. Die integrierte Lösung reduziert den Platzbedarf auf dem Board im Vergleich zu einer Lösung mit diskreten Komponenten erheblich.
¨Präzise Stromüberwachung
Interne Bootstrap-Diode
PQFN39-Gehäuse
Bleifrei
RoHS-Konformität