onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 51 A 63 W, 8-Pin PQFN

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Herst. Teile-Nr.:
FDMS86183
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.05mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.85 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal Leistungs-MOSFET, 100 V bis 1700 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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