onsemi PowerTrench Power Clip Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 126 A 36 W, 8-Pin NTTFD1D8N02P1E PQFN-8

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RS Best.-Nr.:
333-403
Herst. Teile-Nr.:
NTTFD1D8N02P1E
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

126A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

PowerTrench Power Clip

Gehäusegröße

PQFN-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

36W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.3 mm

Normen/Zulassungen

RoHS, Pb-Free

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der Leistungs-MOSFET von ON Semiconductor ist für Niederspannungsanwendungen optimiert und bietet einen hohen Wirkungsgrad und minimale Leitungsverluste. Mit seinem DSC-6-Gehäuse bietet er eine hervorragende thermische Leistung und platzsparende Vorteile für moderne elektronische Designs. Dieser Baustein gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb mit niedrigem R DS(on) und robuster Stromverarbeitung.

Reduzierte Grundfläche für kompaktes Design

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste

Bleifrei

RoHS-Konformität

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