onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 31 W, 8-Pin PQFN

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

6,61 €

(ohne MwSt.)

7,865 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 26. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 451,322 €6,61 €
50 - 951,14 €5,70 €
100 - 4950,988 €4,94 €
500 - 9950,868 €4,34 €
1000 +0,79 €3,95 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
760-5918
Herst. Teile-Nr.:
FDMS8622
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

97mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

31W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.05mm

Breite

6 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links