onsemi FDMC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 22 A 57 W, 8-Pin PQFN

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onsemi FDMC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 22 A 57 W, 8-Pin PQFN
RS Best.-Nr.
178-4249

Stück (Auf einer Rolle von 3000)

1,458 €

(ohne MwSt.)

1,735 €

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:
178-4558
Herst. Teile-Nr.:
FDMC007N08LCDC
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

22A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

FDMC

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.75mm

Länge

3.4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens von Fairchild Semiconductor mit geschirmter Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der ///soft body diode

Geschirmtes-Gate MOSFET-Technologie

RDS(ON) = 6,8 mΩ (typ.) (@ VGS = 10 V, ID = 21 A)

RDS(ON) = 11,1 mΩ (typ.) (@ VGS = 4,5 V, ID = 17 A)

Geeignet für 5-V-Betrieb

50 % geringerer Qrr als andere MOSFET-Lieferanten

Niedriges Schaltgeräusch/EMI

MSL1 robustes Gehäusedesign

Gehäuse geeignet für Dualcool

Anwendungen

Primärer DC/DC MOSFET

Synchroner Gleichrichter in DC/DC- und AC/DC

Motorantrieb

Solar

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