onsemi FDMC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 22 A 57 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 178-4558
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC007N08LCDC
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | FDMC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 57W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie FDMC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 57W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.75mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens von Fairchild Semiconductor mit geschirmter Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der ///soft body diode
Geschirmtes-Gate MOSFET-Technologie
RDS(ON) = 6,8 mΩ (typ.) (@ VGS = 10 V, ID = 21 A)
RDS(ON) = 11,1 mΩ (typ.) (@ VGS = 4,5 V, ID = 17 A)
Geeignet für 5-V-Betrieb
50 % geringerer Qrr als andere MOSFET-Lieferanten
Niedriges Schaltgeräusch/EMI
MSL1 robustes Gehäusedesign
Gehäuse geeignet für Dualcool
Anwendungen
Primärer DC/DC MOSFET
Synchroner Gleichrichter in DC/DC- und AC/DC
Motorantrieb
Solar