onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 224 A 166 W, 8-Pin PQFN

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Herst. Teile-Nr.:
NVMFSC1D6N06CL
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

224A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

91nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

166W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.95mm

Länge

5.9mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)

Kompaktes Design

Niedriger RDS (EIN)

Minimiert Leitungsverluste

Niedrige QG und Kapazität

Minimiert Treiberverluste

PPAP-fähig

Anwendung

Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)

Batterieverpolungsschutz

Schaltnetzteile

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