onsemi FDMS86181 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 124 A 125 W, 8-Pin PQFN

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181-1895
Herst. Teile-Nr.:
FDMS86181
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

124A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

FDMS86181

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.05mm

Breite

5 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.85mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des modernen PowerTrench-Verfahrens mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.

Geschirmtes-Gate MOSFET-Technologie

Max rDS(on) = 4,2 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 44 A

Max rDS(on) = 12 mΩ bei VGS = 6 V, ID = 22 A

ADD

50 % geringerer Qrr als andere MOSFET-Lieferanten

Niedriges Schaltgeräusch/EMI

Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.

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