onsemi FDMS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 67 A 106 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
178-4409
Herst. Teile-Nr.:
FDMS4D0N12C
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

67A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Serie

FDMS

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

106W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6 mm

Höhe

1.05mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens mit geschirmter Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.

Geschirmtes-Gate MOSFET-Technologie

RDS(ON) = 4,0 mΩ (typ.) (@ VGS = 10 V, ID = 67 A)

RDS(ON) = 8,0 mΩ (typ.) (@ VGS = 6 V, ID = 33 A)

50 % geringerer Qrr als andere MOSFET Lieferanten

Niedriges Schaltgeräusch / EMI

MSL1 robustes Gehäusedesign

Anwendungen:

Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.

Endprodukte:

AC/DC- und DC/DC-Netzteile

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