onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 240 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

9,02 €

(ohne MwSt.)

10,74 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 28. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 +4,51 €9,02 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
186-1441
Herst. Teile-Nr.:
NTPF110N65S3HF
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

240W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

62nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.9 mm

Länge

10.63mm

Höhe

16.12mm

Automobilstandard

Nein

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel

SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr geeignet für die verschiedenen Stromversorgungssysteme für Miniaturisierung und höhere Effizienz. Die optimierte Rückgewinnungsleistung der Gehäusediode des SuperFET III FRFET MOSFET kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.

700 V bei TJ = 150 °C

Ultraniedrige Gatterladung (typ. QG = 62 nC)

Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. COSS(eff.) = 522 pF)

Optimierte Kapazität

Ausgezeichnetes Gehäuse und Leistung der Diode (niedriger Qrr, Diode mit robustem Gehäuse)

Typ. RDS(on) = 98 mΩ

Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur

Geringere Schaltverluste

Geringere Schaltverluste

Höhere Systemzuverlässigkeit in LLC und Phasenverschiebung in Brückenschaltung

Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation

Anwendungen

Telekommunikation

Cloud-System

Industriell

Endprodukte

Stromversorgung Telekommunikation

Stromversorgung Server

EV-Ladegerät

Solar/UPS

Verwandte Links