onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A 36 W, 3-Pin NTPF190N65S3HF TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 189-0401
- Herst. Teile-Nr.:
- NTPF190N65S3HF
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 36W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 16.12mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Länge | 10.63mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 36W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 16.12mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.9 mm | ||
Länge 10.63mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
SuperFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr geeignet für die verschiedenen Stromversorgungssysteme für Miniaturisierung und höhere Effizienz. Die optimierte Rückgewinnungsleistung der Gehäusediode des SuperFET III FRFET MOSFET kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.
700 V bei TJ = 150 °C
Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 35 nC)
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. COSS(eff.) = 467 pF)
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. COSS(eff.) = 467 pF)
Optimierte Kapazität
Typ. RDS(on) = 161 mΩ
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Geringere Schaltverluste
Geringere Schaltverluste
Höhere Systemzuverlässigkeit in LLC und Phasenverschiebung in Brückenschaltung
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
Anwendungen
Computer
Unterhaltungselektronik
Industriell
Endprodukte
Notebook/Desktop-Computer/Spielkonsole
Telekommunikation/Server
LED-Beleuchtung / Starter
Adapter