Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 28 W, 74 W, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5 F.

Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

197 A (Kanal 2), 76 A (Kanal 1)

Drain-Source-Spannung max.

30 V (Kanal 1), 30 V (Kanal 2)

Gehäusegröße

PowerPAIR 6 x 5 F.

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

0,0014 Ω (Kanal 2), 0,005 Ω (Kanal 1)

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2 (Channel 2) V, 2.4 (Channel 1) V

Gate-Schwellenspannung min.

1.1 (Channel 1) V, 1.1 (Channel 2) V

Verlustleistung max.

28 W, 74 W

Transistor-Konfiguration

Dual

Gate-Source Spannung max.

+16 V, +20 V, -12 V, -16 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

5.1mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

19 nC @ 15 V (Kanal 1), 83 nC @ 15 V (Kanal 2)

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

0.7mm