Vishay SiZF920DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 28 W, 74 W, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5 F.

RS Best.-Nr.:: 188-4910
Herst. Teile-Nr.:: SiZF920DT-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SiZF920DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 28 W, 74 W, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5 F.

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RS Best.-Nr.:: 188-4910
Herst. Teile-Nr.:: SiZF920DT-T1-GE3
Marke:: Vishay

Datasheet SiZF920DT-T1-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	197 A (Kanal 2), 76 A (Kanal 1)
Drain-Source-Spannung max.	30 V (Kanal 1), 30 V (Kanal 2)
Gehäusegröße	PowerPAIR 6 x 5 F.
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0014 Ω (Kanal 2), 0,005 Ω (Kanal 1)
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.2 (Channel 2) V, 2.4 (Channel 1) V
Gate-Schwellenspannung min.	1.1 (Channel 1) V, 1.1 (Channel 2) V
Verlustleistung max.	28 W, 74 W
Transistor-Konfiguration	Dual
Gate-Source Spannung max.	+16 V, +20 V, -12 V, -16 V
Länge	6.1mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	19 nC @ 15 V (Kanal 1), 83 nC @ 15 V (Kanal 2)
Breite	5.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Höhe	0.7mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Vishay SiZF920DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 28 W, 74 W, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5 F.

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