Teile-Nr.

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 16 A PowerPAIR

RS Best.-Nr.:: 256-7438
Herst. Teile-Nr.:: SIZ918DT-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 16 A PowerPAIR

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RS Best.-Nr.:: 256-7438
Herst. Teile-Nr.:: SIZ918DT-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	16A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	PowerPAIR
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.0149Ω
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße PowerPAIR
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0149Ω
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIZ918DT-T1-GE3

Das Vishay Semiconductor Mosfet Array 2 N-Kanal (Halbbrücke) 30 V, 16 A, 28 A, 29 W, 100 W. Seine Anwendungen sind Notebook-Systemversorgung, POL, synchroner Abwärtswandler.

TrenchFET-Leistungs-Mosfets

100 % Rg- und UIS-geprüft

Oberflächenmontage auf 1 x 1 FR4-Platine

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 16 A PowerPAIR

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