Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 16 A PowerPAIR
- RS Best.-Nr.:
- 256-7439
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZ918DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SIZ918DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAIR | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0149Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAIR | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0149Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Vishay Semiconductor Mosfet Array 2 N-Kanal (Halbbrücke) 30 V, 16 A, 28 A, 29 W, 100 W. Seine Anwendungen sind Notebook-Systemversorgung, POL, synchroner Abwärtswandler.
TrenchFET-Leistungs-Mosfets
100 % Rg- und UIS-geprüft
Oberflächenmontage auf 1 x 1 FR4-Platine
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