Vishay SIZF5300DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 125 A, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS
- RS Best.-Nr.:
- 252-0292
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZF5300DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
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3000 + | 1,028 € | 3.084,00 € |
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- Herst. Teile-Nr.:
- SIZF5300DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Die Produkte sind ein beliebter Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs werden aktiv, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
TrenchFET Gen V Leistungs-MOSFET
Symmetrischer Dual-N-Kanal
Flip-Chip-Technologie für optimales thermisches Design
High-Side- und Low-Side-MOSFETs bilden optimierte
Kombination für 50 % Einschaltdauer
Optimierte RDS-Qg- und RDS-Qgd-Leistungszahlen (FOM) erhöhen den Wirkungsgrad
Für Hochfrequenz-Switch
Symmetrischer Dual-N-Kanal
Flip-Chip-Technologie für optimales thermisches Design
High-Side- und Low-Side-MOSFETs bilden optimierte
Kombination für 50 % Einschaltdauer
Optimierte RDS-Qg- und RDS-Qgd-Leistungszahlen (FOM) erhöhen den Wirkungsgrad
Für Hochfrequenz-Switch
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 125 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | PowerPAIR 3 x 3FS |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 12 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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