Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 55,5 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

RS Best.-Nr.:: 188-5051
Herst. Teile-Nr.:: SISS30LDN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 55,5 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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RS Best.-Nr.:: 188-5051
Herst. Teile-Nr.:: SISS30LDN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Datasheet SISS30LDN-T1-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	55,5 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8S
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	12 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	57 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Länge	3.3mm
Breite	3.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	32,5 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.1V
Höhe	0.78mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 55,5 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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