Vishay SiS126DN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 45.1 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
188-5134P
Herst. Teile-Nr.:
SIS126DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

SiS126DN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21.1nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.15mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.07mm

Breite

3.15mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

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