STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 950 V / 9 A 90 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

62,60 €

(ohne MwSt.)

74,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 900 Einheit(en) mit Versand ab 23. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 +1,252 €62,60 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
188-8295
Herst. Teile-Nr.:
STP6N95K5
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

950V

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.25Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

90W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.6 mm

Höhe

15.75mm

Länge

10.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit sehr hoher Spannung wurden mit der MDmesh ® K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine drastische Reduzierung des Betriebswiderstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine Produktstatusverbindung erfordern, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordert.

Extrem niedrige Gate-Ladung

Zenerdioden-geschützt

Anwendungen

Schaltanwendungen

Verwandte Links