STMicroelectronics MDmesh STP13NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 90 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 761-0008
Herst. Teile-Nr.:: STP13NM60N
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh STP13NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 90 W, 3-Pin TO-220

Voraussichtlich ab 29.10.2024 verfügbar.

Preis pro Stück

0,81 €

(ohne MwSt.)

0,96 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück
1 +	0,81 €

RS Best.-Nr.:: 761-0008
Herst. Teile-Nr.:: STP13NM60N
Marke:: STMicroelectronics

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	MDmesh
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	360 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	90 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4.6mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	30 nC @ 10 V
Höhe	15.75mm