STMicroelectronics MDmesh STP11NM80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 687-5235
Herst. Teile-Nr.:: STP11NM80
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh STP11NM80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin TO-220

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STMicroelectronics MDmesh STP18NM80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17 A 190 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.: 761-0584

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RS Best.-Nr.:: 687-5235
Herst. Teile-Nr.:: STP11NM80
Marke:: STMicroelectronics

MOSFET N-ch 11A 800V MDmesh TO220
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	MDmesh
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	400 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	150 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	43,6 nC bei 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	10.4mm
Breite	4.6mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-65 °C
Höhe	9.15mm

STMicroelectronics MDmesh STP11NM80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin TO-220

Alternative

N-Kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

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