STMicroelectronics STB11NM80 Typ N-Kanal, Oberfläche MDmesh-Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
188-8280
Herst. Teile-Nr.:
STB11NM80T4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MDmesh-Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

STB11NM80

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43.6nC

Betriebstemperatur min.

-65°C

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Durchlassspannung Vf

0.86V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.37mm

Länge

10.4mm

Breite

9.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs werden mit der revolutionären MDmesh-Technologie von STMicroelectronics entwickelt, die den Mehrfachablassprozess mit dem horizontalen Layout des Unternehmens PowerMESH verbindet. Diese Geräte bieten einen extrem niedrigen Betriebswiderstand, hohe dv/dt und ausgezeichnete Lawineneigenschaften. Diese Leistungs-MOSFETs nutzen die proprietäre Streifentechnik von ST und bieten eine dynamische Gesamtleistung, die vergleichbaren Produkten auf dem Markt überlegen ist.

Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung

Niedriger Gate-Eingangswiderstand

Beste RDS(on)Qg in der Branche

Anwendungen

Schaltanwendungen

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