STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
760-9477
Herst. Teile-Nr.:
STB11NM80T4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

MDmesh

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

400 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

150 W

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

10.4mm

Länge

10.75mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

43,6 nC bei 10 V

Betriebstemperatur min.

-65 °C

Höhe

4.6mm

Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs werden mit der revolutionären MDmesh-Technologie von STMicroelectronics entwickelt, die den Mehrfachablassprozess mit dem horizontalen Layout des Unternehmens PowerMESH verbindet. Diese Geräte bieten einen extrem niedrigen Betriebswiderstand, hohe dv/dt und ausgezeichnete Lawineneigenschaften. Diese Leistungs-MOSFETs nutzen die proprietäre Streifentechnik von ST und bieten eine dynamische Gesamtleistung, die vergleichbaren Produkten auf dem Markt überlegen ist.

Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung

Niedriger Gate-Eingangswiderstand

Beste RDS(on)Qg in der Branche

Anwendungen

Schaltanwendungen

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