STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 188-8461
Herst. Teile-Nr.:: STB11NM80T4
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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20 - 48	6,055 €	12,11 €
50 - 98	5,46 €	10,92 €
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RS Best.-Nr.:: 188-8461
Herst. Teile-Nr.:: STB11NM80T4
Marke:: STMicroelectronics

Datasheet STB11NM80T4

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	400 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	150 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	9.35mm
Länge	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	43,6 nC bei 10 V
Diodendurchschlagsspannung	0.86V
Höhe	4.37mm
Betriebstemperatur min.	–65 °C

STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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N-Kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

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