STMicroelectronics MDmesh STB18NM80 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 17 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 761-0392
Herst. Teile-Nr.:: STB18NM80
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh STB18NM80 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 17 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Voraussichtlich ab 23.07.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück

4,20 €

(ohne MwSt.)

5,00 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück
1 - 9	4,20 €
10 - 99	3,55 €
100 - 499	2,84 €
500 +	2,54 €

RS Best.-Nr.:: 761-0392
Herst. Teile-Nr.:: STB18NM80
Marke:: STMicroelectronics

N-channel 800 V, 0.25 Ohm, 17 A, MDmesh(TM) Power MOSFET in D2PAK package
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	17 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Serie	MDmesh
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	295 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	190 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	70 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	10.4mm
Länge	10.75mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	4.6mm

STMicroelectronics MDmesh STB18NM80 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 17 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

Verwandte Produkte