STMicroelectronics MDmesh M5 STB42N65M5 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 33 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 761-0402
- Herst. Teile-Nr.:
- STB42N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
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Produktdetails
N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics
Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 33 A |
Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
Serie | MDmesh M5 |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 79 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
Verlustleistung max. | 190 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 10.4mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 10.75mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
Höhe | 4.6mm |
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