STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 710 V / 30 A 190 W, 3-Pin STB38N65M5 TO-263

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783-3059
Herst. Teile-Nr.:
STB38N65M5
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

710V

Serie

MDmesh M5

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

95mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

190W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

71nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Höhe

4.6mm

Breite

9.35 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics


Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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