STMicroelectronics MDmesh M5 STW34N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 710 V / 28 A 190 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 783-2996
Herst. Teile-Nr.:: STW34N65M5
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M5 STW34N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 710 V / 28 A 190 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 783-2996
Herst. Teile-Nr.:: STW34N65M5
Marke:: STMicroelectronics

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Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	28 A
Drain-Source-Spannung max.	710 V
Serie	MDmesh M5
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	110 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	190 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	15.75mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	62,5 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	5.15mm
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	20.15mm