STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, SMD MOSFET 710 V / 30 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 920-8821
Herst. Teile-Nr.:: STB38N65M5
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, SMD MOSFET 710 V / 30 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 920-8821
Herst. Teile-Nr.:: STB38N65M5
Marke:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	30 A
Drain-Source-Spannung max.	710 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	MDmesh M5
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	95 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	190 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	10.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	9.35mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	71 nC @ 10 V
Höhe	4.6mm

STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, SMD MOSFET 710 V / 30 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics

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