STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 17 A 190 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

2.294,00 €

(ohne MwSt.)

2.730,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 06. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +2,294 €2.294,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
168-7535
Herst. Teile-Nr.:
STB18NM80
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

MDmesh

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

295mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-65°C

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

190W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

10.4 mm

Länge

10.75mm

Höhe

4.6mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


Verwandte Links