onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 36 A 272 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 189-0252
- Herst. Teile-Nr.:
- NTB095N65S3HF
- Marke:
- onsemi
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
2.828,00 €
(ohne MwSt.)
3.365,60 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 04. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 + | 3,535 € | 2.828,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 189-0252
- Herst. Teile-Nr.:
- NTB095N65S3HF
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 36A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 272W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 66nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 4.58mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 272W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 66nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 4.58mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 9.65 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
SuperFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr geeignet für die verschiedenen Stromversorgungssysteme für Miniaturisierung und höhere Effizienz. Die optimierte Rückgewinnungsleistung der Gehäusediode des SuperFET III FRFET MOSFET kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.
700 V bei TJ = 150 °C
Ultraniedrige Gatterladung (typ. QG = 66 nC)
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. COSS(eff.) = 569 pF)
Ausgezeichnetes Gehäuse und Leistung der Diode (niedriger Qrr, Diode mit robustem Gehäuse)
Optimierte Kapazität
Typ. RDS(on) = 80 mΩ Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedrigen Temperaturen
Geringere Schaltverluste
Höhere Systemzuverlässigkeit in LLC und Phasenverschiebung in Brückenschaltung
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
Anwendungen
Telekommunikation
Cloud-System
Industriell
Endprodukte
Stromversorgung Telekommunikation
Stromversorgung Server
EV-Ladegerät
Solar/UPS
Verwandte Links
- onsemi Typ N-Kanal 3-Pin NTB095N65S3HF TO-263
- onsemi Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi Typ N-Kanal 3-Pin NTP095N65S3HF TO-220
- onsemi NTHL Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- onsemi NTHL Typ N-Kanal 3-Pin NTHL095N65S3HF TO-247
- onsemi NTMT090N Typ N-Kanal 4-Pin PQFN
- onsemi NTMT090N Typ N-Kanal 4-Pin NTMT090N65S3HF PQFN
- onsemi NTB Typ N-Kanal 7-Pin NTBG023N065M3S TO-263
