onsemi NTB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 70 A 263 W, 7-Pin NTBG023N065M3S TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 277-040
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBG023N065M3S
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | NTB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 263W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 69nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 9.9 mm | |
| Länge | 9.2mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI (on Second Level Interconnection) | |
| Höhe | 15.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie NTB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 263W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 69nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 9.9 mm | ||
Länge 9.2mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI (on Second Level Interconnection) | ||
Höhe 15.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die SiC-MOSFETs von ON Semiconductor sind für schnelle Schaltanwendungen optimiert. Die Planar-Technologie arbeitet zuverlässig mit negativer Gate-Spannung und schaltet Spikes am Gate aus. Die optimale Leistung wird mit einem 18-V-Gate-Antrieb erzielt, funktioniert aber auch mit einem 15-V-Gate-Antrieb gut.
Extrem niedrige Gate-Ladung
Hohe Schaltgeschwindigkeit bei geringer Kapazität
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Das Gerät ist halidfrei und RoHS-konform
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