onsemi NTB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 70 A 263 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 277-040
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBG023N065M3S
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
10,78 €
(ohne MwSt.)
12,83 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 795 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 10,78 € |
| 10 - 99 | 9,71 € |
| 100 - 499 | 8,94 € |
| 500 - 999 | 8,30 € |
| 1000 + | 6,74 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 277-040
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBG023N065M3S
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | NTB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 69nC | |
| Durchlassspannung Vf | 6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 263W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 15.4mm | |
| Länge | 9.2mm | |
| Breite | 9.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI (on Second Level Interconnection) | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie NTB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 69nC | ||
Durchlassspannung Vf 6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 263W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 15.4mm | ||
Länge 9.2mm | ||
Breite 9.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI (on Second Level Interconnection) | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die SiC-MOSFETs von ON Semiconductor sind für schnelle Schaltanwendungen optimiert. Die Planar-Technologie arbeitet zuverlässig mit negativer Gate-Spannung und schaltet Spikes am Gate aus. Die optimale Leistung wird mit einem 18-V-Gate-Antrieb erzielt, funktioniert aber auch mit einem 15-V-Gate-Antrieb gut.
Extrem niedrige Gate-Ladung
Hohe Schaltgeschwindigkeit bei geringer Kapazität
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Das Gerät ist halidfrei und RoHS-konform